Главная
In English
Уголь
Поглотитель
Противогазы
Листы из ПВХ
Прутки сварочные
Обратная связь
Доска объявлений
Полезные ссылки
 
февраль 2018
ПнВтСрЧтПтСбВс
29 30 31 1 2 3 4
5 6 7 8 9 10 11
12 13 14 15 16 17 18
19 20 21 22 23 24 25
26 27 28 1 2 3 4


Rambler's Top100

WebList.Ru
www.yandex.ru

 
ПОИСКОВАЯ СИСТЕМА

Особенности эксплуатации транзисторов в радиоэлектронной аппаратуре

При разработке, ремонте и эксплуатации радиотехники следует принимать во внимание ее специфические особенности. Высокая надежность радиоэлектронной аппаратуры может быть обеспечена только при учете таких факторов, как разброс характеристик транзисторов, их температурная нестабильность и зависимость параметров от режима работы, а также изменение параметров транзисторов в процессе эксплуатации.

Электронные приборы сохраняют свои параметры в установленных пределах в условиях работы и хранения, характерных для различных видов и классов аппаратуры. Условия эксплуатации аппаратуры могут изменяться в больших пределах. Эти условия характеризуются внешними механическими нагрузками и климатическими воздействиями (температурными и др.).

Общие условия, справедливые для всех транзисторов, предназначенных для применения в аппаратуре определенного класса, содержатся в общих технических условиях. Нормы на значения электрических характеристик и специфические требования, относящиеся к конкретному типу транзистора, находятся в частных технических условиях.

Для удобства конструирования и ремонта основные параметры транзисторов и их схемы приведены в справочнике. К преимуществам Интернет справочника можно отнести его общедоступность, пополняемость, быстрый поиск требуемого транзистора по маркировке и аналогу.

Под воздействием различных факторов окружающей среды некоторые параметры транзисторов и свойства могут меняться. Для герметичной защиты транзисторных структур от внешних факторов служат корпуса приборов. Конструктивное оформление электронных приборов рассчитано на их применение в составе аппаратуры при различных допустимых условиях применения. Необходимо помнить, что корпуса транзисторов, в конечном счете, имеют ограничение по герметичности. Поэтому при использовании биполярных транзисторов в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации в условиях повышенной влажности, платы с расположенными на них транзисторами необходимо покрывать лаком не менее чем в три слоя.

Все большее распространение находят так называемые бескорпусные транзисторы, изготовленные для использования в микросхемах и микросборках. Кристаллы таких элементов защищены специальным покрытием, но оно не дает хорошей защиты от воздействия окружающей среды. Защита увеличивается общей герметизацией всей микросхемы.

Чтобы осуществить долголетнюю и безотказную работу сотовой аппаратуры, конструктор обязан не только учесть характерные особенности транзисторов на этапе разработки аппаратуры, но и обеспечить нужные условия ее эксплуатации и хранения.

Транзисторы - элементы универсального применения. Они могут быть успешно использованы не только в классе устройств, для которых они разработаны, но и во многих других приборах. Однако набор параметров и характеристик, приводимых в Интернет справочнике, соответствует основному назначению транзистора. В справочнике даны значения параметров транзисторов, гарантируемые техническими условиями для соответствующих оптимальных или предельных режимов работы. Рабочий режим трехполюсника в проектируемом аппарате часто отличается от того режима, для которого приводятся параметры в ТУ.

Значения большинства параметров транзисторов зависят от рабочего режима и температуры, причем с увеличением температуры значения параметров от режима заметно более сильно. В справочнике рассматриваются, как правило, типовые (усредненные) зависимости характеристик транзисторов от тока, напряжения, температуры, частоты и т. п. Эти зависимости могут использоваться при выборе типа транзистора и ориентировочных расчетах, так как данные параметров трехполюсников одного типа не одинаковы, а лежат в некотором диапазоне. Этот интервал ограничивается минимальным или максимальным значением, указанным в справочнике. Некоторые характеристики имеют двустороннее ограничение.

При конструировании радиоэлектронной аппаратуры необходимо стремиться обеспечить их работоспособность в возможно более больших интервалах изменений важнейших параметров транзисторов. Разброс параметров транзисторов и их изменение во времени при настройке могут быть учтены расчетными методами или экспериментально — методом граничных испытаний.

Полевые трехполюсники с управляющим р-n переходом работают в режиме обеднения канала носителями заряда (независимо от типа его проводимости) при изменении напряжения затвор - исток от нулевого значения до напряжения отсечки тока стока.

В отличие от трехполюсников с управляющим р-n переходом, у которых рабочая область составляет от Uзи = 0 до напряжения запирания, МДП-транзисторы сохраняют высокое входное сопротивление при любых значениях потенциала на затворе, которое ограничено напряжением пробоя изолятора затвора.
web сайты под ключ